NP82N055PUG-E1-AY | Renesas Electronics America NP82N055PUG-E1-AY | NP82N055PUG-E1-AY Inventory, Best Pricing

NP82N055PUG-E1-AY

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भाग संख्या	NP82N055PUG-E1-AY
LIXINC Part #	NP82N055PUG-E1-AY
उत्पादक	Renesas Electronics America
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 55V 82A TO263
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	NP82N055PUG-E1-AY पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 03 - Jul 07 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

NP82N055PUG-E1-AY विशेष विवरण

भाग संख्या:	NP82N055PUG-E1-AY
ब्रैंड:	Renesas Electronics America
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Renesas Electronics America
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	55 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	82A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	5.2mOhm @ 41A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	160 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	9600 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1.8W (Ta), 143W (Tc)
परिचालन तापमान:	175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-263
पैकेज / मामला:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NP82N055PUG-E1-AY दस्तावेज़

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