N0602N-S19-AY | Renesas Electronics America N0602N-S19-AY | N0602N-S19-AY Inventory, Best Pricing

N0602N-S19-AY

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भाग संख्या	N0602N-S19-AY
LIXINC Part #	N0602N-S19-AY
उत्पादक	Renesas Electronics America
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	N0602N-S19-AY पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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N0602N-S19-AY विशेष विवरण

भाग संख्या:	N0602N-S19-AY
ब्रैंड:	Renesas Electronics America
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Renesas Electronics America
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	60 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	100A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	4.6mOhm @ 50A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	-
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	133 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	7730 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1.5W (Ta), 156W (Tc)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-220-3
पैकेज / मामला:	TO-220-3 Isolated Tab

N0602N-S19-AY दस्तावेज़

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