BSB044N08NN3GXUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSB044N08NN3GXUMA1 | BSB044N08NN3GXUMA1 Inventory, Best Pricing

BSB044N08NN3GXUMA1

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भाग संख्या	BSB044N08NN3GXUMA1
LIXINC Part #	BSB044N08NN3GXUMA1
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	BSB044N08NN3GXUMA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

BSB044N08NN3GXUMA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	BSB044N08NN3GXUMA1
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	OptiMOS™
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	80 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	18A (Ta), 90A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	4.4mOhm @ 30A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	3.5V @ 97µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	73 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	5700 pF @ 40 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	2.2W (Ta), 78W (Tc)
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	MG-WDSON-2, CanPAK M™
पैकेज / मामला:	3-WDSON

BSB044N08NN3GXUMA1 दस्तावेज़

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