SPB03N60C3ATMA1 | Rochester Electronics SPB03N60C3ATMA1 | SPB03N60C3ATMA1 Inventory, Best Pricing

SPB03N60C3ATMA1

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भाग संख्या	SPB03N60C3ATMA1
LIXINC Part #	SPB03N60C3ATMA1
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SPB03N60C3ATMA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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SPB03N60C3ATMA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	SPB03N60C3ATMA1
ब्रैंड:	Rochester Electronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Rochester Electronics
शृंखला:	CoolMOS™
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	650 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	3.2A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	1.4Ohm @ 2A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	3.9V @ 135µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	17 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	400 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	38W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TO263-3-2
पैकेज / मामला:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SPB03N60C3ATMA1 दस्तावेज़

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