JAN1N5622US | Roving Networks / Microchip Technology JAN1N5622US

JAN1N5622US

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भाग संख्या	JAN1N5622US
LIXINC Part #	JAN1N5622US
उत्पादक	Roving Networks / Microchip Technology
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	JAN1N5622US पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

JAN1N5622US विशेष विवरण

भाग संख्या:	JAN1N5622US
ब्रैंड:	Roving Networks / Microchip Technology
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Roving Networks / Microchip Technology
शृंखला:	Military, MIL-PRF-19500/427
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1000 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	1A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.3 V @ 3 A
रफ़्तार:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	2 µs
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	500 nA @ 1000 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	SQ-MELF, A
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	D-5A
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-65°C ~ 200°C

VS-MBRB1635TRR-M3	DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB	804 अधिक आदेश पर
AS4PJ-M3/86A	DIODE AVALANCHE 600V 2.4A TO277A	1100 अधिक आदेश पर
SICR6650	DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S	1121 अधिक आदेश पर
1N3210R	DIODE GEN PURP REV 200V 15A DO5	815 अधिक आदेश पर
1N4150TAP	DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35	37528 अधिक आदेश पर
RS2MA R3G	DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC	3264 अधिक आदेश पर
VS-5EWL06FNTR-M3	DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK	1431 अधिक आदेश पर
VS-EPU6006-N3	DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC	1313 अधिक आदेश पर
MUR220G	DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL	39524979 अधिक आदेश पर
MUR460FFG	RECTIFIER DIODE, 4A, 600V, DO-20	99396 अधिक आदेश पर
VS-4EWH02FN-M3	DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK	2570 अधिक आदेश पर
RS2JAHM2G	DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC	870 अधिक आदेश पर
VS-150K60A	DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA	838 अधिक आदेश पर

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