IRFHM830DTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFHM830DTRPBF | IRFHM830DTRPBF Inventory, Best Pricing

IRFHM830DTRPBF

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भाग संख्या	IRFHM830DTRPBF
LIXINC Part #	IRFHM830DTRPBF
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IRFHM830DTRPBF पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 21 - Sep 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IRFHM830DTRPBF विशेष विवरण

भाग संख्या:	IRFHM830DTRPBF
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	HEXFET®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	20A (Ta), 40A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	4.3mOhm @ 20A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.35V @ 50µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	27 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1797 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	2.8W (Ta), 37W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PQFN (3x3)
पैकेज / मामला:	8-VQFN Exposed Pad

IRFHM830DTRPBF दस्तावेज़

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