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SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3
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भाग संख्या SI4966DY-T1-GE3
LIXINC Part # SI4966DY-T1-GE3
उत्पादक Vishay / Siliconix
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल SI4966DY-T1-GE3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SI4966DY-T1-GE3 विशेष विवरण

भाग संख्या:SI4966DY-T1-GE3
ब्रैंड:Vishay / Siliconix
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:Vishay / Siliconix
शृंखला:TrenchFET®
पैकेट:Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):20V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:-
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:25mOhm @ 7.1A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:50nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:-
शक्ति - मैक्स:2W
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:8-SO

SI4966DY-T1-GE3 दस्तावेज़

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