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ALD210808ASCL

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भाग संख्या	ALD210808ASCL
LIXINC Part #	ALD210808ASCL
उत्पादक	Advanced Linear Devices, Inc.
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण	MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	ALD210808ASCL पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

ALD210808ASCL विशेष विवरण

भाग संख्या:	ALD210808ASCL
ब्रैंड:	Advanced Linear Devices, Inc.
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:	Advanced Linear Devices, Inc.
शृंखला:	EPAD®, Zero Threshold™
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	4 N-Channel, Matched Pair
fet सुविधा:	Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	10.6V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	80mA
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	20mV @ 10µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	-
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	-
शक्ति - मैक्स:	500mW
परिचालन तापमान:	0°C ~ 70°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	16-SOIC

DMG6602SVTQ-7	MOSFET N/P-CH 30V TSOT26	878 अधिक आदेश पर
ALD110808APCL	MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP	913 अधिक आदेश पर
FDMS3686S	MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56	3833 अधिक आदेश पर
ALD110904SAL	MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC	955 अधिक आदेश पर
FS45MR12W1M1B11BOMA1	MOSFET MODULE 1200V 50A	1035 अधिक आदेश पर
BSL214NL6327	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	9530 अधिक आदेश पर
SQJ262EP-T1_GE3	MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8	1705 अधिक आदेश पर
IRF7309PBF	P-CHANNEL POWER MOSFET	1913 अधिक आदेश पर
SI5517DU-T1-GE3	MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET	1082 अधिक आदेश पर
SI4276DY-T1-E3	MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO	858 अधिक आदेश पर
DMP3048LSD-13	MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 4.8A 8SO	873 अधिक आदेश पर
FDMS3668S	MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56	995 अधिक आदेश पर
SI3948DV-T1-GE3	MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP	887 अधिक आदेश पर

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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